25納米技術NAND閃存問世 單個存儲容量達8G

25納米NAND技術全球首創，可使當今流行的消費電子和計算設備經濟高效地存儲更多數據、圖片和歌曲

2月1日，英特爾公司(Intel)和美光科技公司(Micron)宣布推出世界上首個25納米NAND技術——該技術能夠增加智能手機、個人音樂與媒體播放器（PMP）等流行消費電子產品，以及全新高性能固態硬盤（SSD）的存儲容量，提供更高的成本效益。
NAND閃存可用于存儲消費電子產品中的數據和其它媒體內容，即使在電源關閉時也能保留信息。NAND制程尺寸的縮小，推動了該技術持續發展並不斷出現新的用途。25納米制程不僅是當前尺寸最小的NAND技術，也是全球最精密的半導體技術——這項技術成就將使當今的消費電子產品和計算設備能存儲更多音樂、視頻和其它類型數據。
該技術由英特爾和美光共同組建的NAND閃存合資企業IM Flash Technologies（簡稱IMFT）生產，單個25納米制程NAND設備的存儲容量達到8GB，為當前小巧的消費電子產品提供大容量存儲解決方案。其尺寸僅有167平方毫米——小到足以穿過光盤中間的孔，卻能存儲比光盤多10倍的數據（一張標準光盤可存儲700MB數據）。
通過對NAND研發的專注和投資，英特爾和美光大約每18個月將NAND的密度提升一倍，從而帶來尺寸更小、成本效益更高、容量更大的產品。IMFT從2006年就開始採用50納米制程技術生產，緊接著在2008年推出34納米制程技術。憑借今天公布的25納米制程技術，英特爾和美光合作推出了業內最小的半導體光刻技術，從而進一步加強了在制程和制造領域的領先地位。
採用25納米技術的8GB設備現已推出樣品，預計將在2010年第二季度批量生產。針對消費電子產品制造商，該設備提供了密度最大、每個單元可存儲2比特數據的多層式（MLC）芯片，並且支持符合行業標準的薄型小尺寸封裝（TSOP），可將多個8GB設備封裝在一起，從而提高存儲容量。與上一代制程相比，全新25納米8GB設備可將封裝的芯片數量減少一半，不僅實現了尺寸更小、密度更高的設計，還提高了成本效益。例如，組成一個256GB的固態硬盤（SSD）只需32個25納米NAND芯片（之前則需要64個這樣的芯片），一個32GB的智能手機只需要4個這樣的芯片，而16GB的閃存卡只需要2個。